化學(xué)機(jī)械平面化（CMP）通過(guò)化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的協(xié)同作用，選擇性去除材料表面凸起，使晶圓達(dá)到納米級(jí)平整度。這種工藝是集成電路（IC）和微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）量產(chǎn)的核心環(huán)節(jié)，確保多層芯片結(jié)構(gòu)的精確堆疊。

若表面存在微小不規(guī)則，芯片性能將大幅下降。CMP如同一位“微觀泥瓦匠"，為每一層電路鋪設(shè)的基礎(chǔ)平面。

CMP的關(guān)鍵消耗材料是拋光墊，其凹槽設(shè)計(jì)直接影響拋光效果。長(zhǎng)期使用會(huì)導(dǎo)致凹槽堵塞或表面釉化（拋光殘留物堆積），降低工藝穩(wěn)定性。

通過(guò)無(wú)損檢測(cè)技術(shù)（如S mart 2測(cè)量系統(tǒng)），制造商可實(shí)時(shí)監(jiān)控拋光墊狀態(tài)，延長(zhǎng)使用壽命，降低30%以上的成本。

現(xiàn)代CMP工藝依賴高精度測(cè)量設(shè)備，例如：

•凹槽深度檢測(cè)：避免因堵塞導(dǎo)致拋光不均；

•釉化層分析：及時(shí)清潔或更換拋光墊。

這些技術(shù)從加工源頭把控質(zhì)量，推動(dòng)半導(dǎo)體制造向更高良率邁進(jìn)。

CMP技術(shù)雖隱藏在芯片背后，卻是摩爾定律持續(xù)發(fā)展的基石。未來(lái)，隨著3D芯片堆疊技術(shù)的普及，對(duì)平整度的要求將更趨嚴(yán)苛。而創(chuàng)新，永遠(yuǎn)始于毫厘之間的精益求精。Sensofar三維共聚焦白光干涉儀