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Sensofar白光干涉儀在微電子檢測應(yīng)用?

產(chǎn)品簡介

Sensofar白光干涉儀在微電子檢測應(yīng)用?
在微電子和半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,對元件表面形貌的量化控制是工藝流程中的一環(huán)。Sensofar S lynx輪廓儀因其非接觸、高分辨率的特點,在該領(lǐng)域有相應(yīng)的應(yīng)用空間。

產(chǎn)品型號:lynx2
更新時間:2025-10-23
廠商性質(zhì):代理商
訪問量:134
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Sensofar白光干涉儀在微電子檢測應(yīng)用

在微電子和半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,對元件表面形貌的量化控制是工藝流程中的一環(huán)。Sensofar S lynx輪廓儀因其非接觸、高分辨率的特點,在該領(lǐng)域有相應(yīng)的應(yīng)用空間。
具體應(yīng)用場景
  • 硅晶圓與薄膜測量:可用于測量硅晶圓表面的納米級粗糙度(Sa),評估拋光工藝質(zhì)量。通過臺階高度測量功能,量化化學(xué)氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)等工藝形成的薄膜厚度。
  • 光刻膠圖形表征:在光刻工藝后,可用于測量光刻膠線條的寬度(CD)、高度以及側(cè)壁角度。三維形貌數(shù)據(jù)可為光刻工藝的調(diào)整提供參考信息。
  • MEMS器件形貌分析:對微機電系統(tǒng)(MEMS)器件,如微彈簧、懸臂梁、齒輪等的三維形狀、運動引起的形變、釋放孔深度等進行測量。
  • CMP工藝監(jiān)測:在化學(xué)機械拋光(CMP)工藝后,檢查晶圓表面的平坦度變化和碟形坑、侵蝕等缺陷的深度。
技術(shù)優(yōu)勢體現(xiàn)
在測量光刻膠圖形或薄膜臺階時,S lynx的VSI模式能提供亞納米級的垂直分辨率,有助于精確測量納米級的膜厚變化。其非接觸式測量避免了探針式輪廓儀可能對脆弱結(jié)構(gòu)(如光刻膠)造成的損傷。對于具有高深寬比或陡峭側(cè)壁的MEMS結(jié)構(gòu),共聚焦模式能夠提供有效的形貌信息。
測量注意事項
測量反射率差異很大的材料(如金屬線條 on 介質(zhì)層)時,可能需要調(diào)整光照強度或使用中性密度濾光片來優(yōu)化信號。對于非常光滑的晶圓表面,確保樣品臺清潔和避免振動對獲得穩(wěn)定的干涉條紋有影響。
總結(jié)
Sensofar S lynx輪廓儀為微電子領(lǐng)域的表面形貌監(jiān)測提供了一種測量手段。其在薄膜厚度、粗糙度、三維結(jié)構(gòu)尺寸等方面的測量能力,可用于支持工藝開發(fā)和質(zhì)量控制流程。


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